宇治原 徹 (Toru UJIHARA)
| 部門 | 運営統括室 (兼任) |
|---|---|
| 所属研究科等 | 未来材料・システム研究所 |
| 所属専攻・分野等 | |
| 研究室名等 | 宇治原研究室 |
| 研究内容 | パワーデバイス，結晶成長，SiC，太陽電池 |
| 所在地 | 〒464-8603 名古屋市千種区不老町 |
| 居室 | 工学５号館６階613号室 |
| ujihara(at-mark)gvm.nagoya-u.ac.jp | |
| 詳細URL | http://www.numse.nagoya-u.ac.jp/ujihara/ |
主要研究内容
■SiC結晶成長：SiCはエネルギー高効率変換を実現するパワーデバイス用材料として注目を集めている。SiCの本格実用化には結晶の高品質化が不可欠である。当研究室では、溶液法によるSiC高品質結晶成長技術の開発を行っている。
■溶液法による放熱基板（AlN）の作製：パワーデバイスの実装においては、高熱伝導度と絶縁性を併せ持つ実装基板が不可欠であり、AlN多結晶に大きな期待を寄せている。当研究室ではAl融液の高効率窒化法により、低コストで高密度なAlN多結晶基板の実現を目指している。
■次世代太陽電池開発のための新評価法の開発：第三世代太陽電池として期待される量子構造太陽電池では、複数のバンドにおけるキャリア寿命が重要となる。当研究室では、それを実現する新たな評価法の開発を行っている。
主要研究論文
- Yuji Yamamoto, Shunta Harada, Kazuaki Seki, Atsushi Horio, Takato Mitsuhashi, Daiki Koike, Miho Tagawa, and Toru Ujihara , "Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method", Applied Physics Express , 7 (2014) 065501.
- Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Kazuaki Seki, Shunta Harada, Toru Ujihara , "Nitrogen doping of 4H- SiC by the top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent", Journal of Crystal Growth , 392 (2014) 60-65.
- Kazuhiko Kusunoki, Nobuhiro Okada, Kazuhito Kamei, Koji Moriguchi, Hironori Daikoku, Motohisa Kado, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Toru Ujihara, "Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique", Journal of Crystal Growth, 395 (2014) 68-73.