原田 俊太 (Shunta HARADA)
| 部門 | 電池・パワーデバイス研究開発部門 |
|---|---|
| 所属研究科等 | 未来材料・システム研究所 |
| 所属専攻・分野等 | |
| 研究室名等 | 宇治原研究室 |
| 研究内容 | SiC，結晶成長，透過電子顕微鏡 |
| 所在地 | 〒464-8603 名古屋市千種区不老町 |
| 居室 | 工学5号館6階620号室 |
| harada(at-mark)numse.nagoya-u.ac.jp | |
| 詳細URL |
主要研究内容
材料物性にかかわる、「結晶欠陥」、「結晶構造」、「結晶成長」の研究を行っています。宇治原研究室では次世代パワーデバイス材料SiCの溶液成長を中心に研究を行っています。
主要研究論文
Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H-SiC depending on the Burgers vector
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara
Acta Materialia, 81, 284-290 (2014)
Evolution of Threading Screw Dislocation Conversion during Solution Growth of 4H-SiC
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, and T. Ujihara APL Materials, 1(2), 022109 (7 pages) (2013)
Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth
S. Harada, Alexander, S. Kozawa, K. Seki, Y. Yamamoto, C. Zhu, Y. Yamamoto, S. Arai, J. Yamasaki, N. Tanaka, T. Ujihara
Crystal Growth and Design, 12(6), 3209-3214 (2012)