青柳 健大 (Kenta AOYAGI)
| 部門 | 電池・パワーデバイス研究開発部門 (兼任) |
|---|---|
| 所属研究科等 | グリーンモビリティ連携研究センター |
| 所属専攻・分野等 | 宇治原研究室 |
| 研究室名等 | 宇治原研究室 |
| 研究内容 | SiC，結晶成長，透過電子顕微鏡 |
| 所在地 | 〒464-8603 名古屋市千種区不老町 |
| 居室 | 工学5号館6階620号室 |
| aoyagi(at-mark)gvm.nagoya-u.ac.jp | |
| 詳細URL |
主要研究内容
高耐圧を有するSiCパワーデバイスの実現に向けて，単結晶基板作製(転位や積層欠陥などの欠陥が少ない高品質単結晶SiC基板の溶液成長)・デバイス作製(作製した基板を用いたSiCショットキーダイオードの作製)・デバイス特性評価(作製したSiCショットキーダイオードの電気特性評価)の研究を進めています．
また，明視野・暗視野像法，電子回折法，高分解能電子顕微鏡法をはじめとした各種透過電子顕微鏡法を駆使した半導体・酸化物材料の微細構造解析に関する研究も進めています．
主要研究論文
- K. Aoyagi, T. Kiguchi, Y. Ehara, T. Yamada, H. Funakubo, T.J. Konno, "Diffraction contrast analysis of 90˚ and 180˚ ferroelectric domain structures of PbTiO3 thin films", Science and Technology of Advanced Materials, 2011.
- K. Aoyagi, Y. Kodama, T. Kiguchi, Y. Ehara, H. Funakubo, T.J. Konno, "Stacking faults in an epitaxially grown PbTiO3 thick film and their size distribution", Materials Science and Engineering B, 2012.
- K. Aoyagi, A. Tamura, H. Takakura, T. Minemoto, "Effect of Rear-Surface Buffer Layer on the Cell Performance of Lift-Off Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells", Japanese Journal of Applied Physics, 2014.