宇治原 徹 (Tohru UJIHARA)
| 所属研究科等 | 工学研究科 |
|---|---|
| 部門 | 研究開発部門 |
| センター教員 | 兼任 |
| 所属専攻・分野等 | 名古屋大学大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻 材料工学分野 |
| 所属プロジェクト | 宇治原パワーデバイス材料PJ |
| 所在地 | 〒464-8601 名古屋市千種区不老町 名古屋大学工学部５号館613号室 |
| TEL | 052-789-3368 |
| FAX | 052-789-3248 |
| ujihara[at]gvm.nagoya-u.ac.jp ※スパム対策のため、E-mailの@を[at]に変更してあります。 | |
| 研究室名 | 宇治原研究室 |
| 詳細URL | http://www.numse.nagoya-u.ac.jp/ujihara/ |
| 研究内容 | SiCなどの結晶成長工学 |
主要研究内容
■SiC結晶成長：SiCはエネルギー高効率変換を実現するパワーデバイス用材料として、近年大きな注目を集めている。SiCの本格実用化には高品質結晶成長技術が不可欠である。私たちの研究室では、溶液法によるSiC高品質結晶成長技術の開発を行っている。
■溶液法による放熱基板（AlN）の作製：自動車などへのパワーデバイスの実装においては、高熱伝導度と絶縁性を併せ持つ実装基板が不可欠であり、AlN多結晶は基板材料として大きな期待を寄せている。当研究室ではAl融液の高効率窒化法により、低コストで高密度なＡｌＮ多結晶基板の実現を目指している。
■次世代太陽電池開発のための新評価法の開発：第三世代太陽電池として期待される量子構造太陽電池では、複数のバンドにおけるキャリア寿命が重要となる。しかし、その測定法が確立されていない。当研究室では、それを実現する新たな評価法の開発を行っている。
主要研究論文
- T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda, and Y. Takeda:“Solution growth of high-quality 3C-SiC crystals” J. Crystal Gorwth 310, 1438-1442 (2008)
- Masaki Takihara, Takuji Takahashi, Toru Ujihara:”Study of minority carrier diffusion length in multicrystalline silicon solar cells using photoassisted Kelvin probe force microscopy”Appl. Phys. Lett. 95: 19, (2009) #191908.
- Toru Ujihara, Kazuaki Seki, Ryo Tanaka, Shigeta Kozawa, Alexander, Kai Morimoto, Katsuhiro Sasaki, Yoshikazu Takeda:“High-quality and large-area 3C-SiC growth on 6H-SiC(0 0 0 1) seed crystal with top-seeded solution method.”Journal of Crystal Growth 318 (2011) , pp. 389-393